Uluslararası bir araştırma konsorsiyumu, grafen ısı iletkenliği konusunda daha önce kaydedilen değerlerin üzerine çıkan yeni bir malzeme geliştirdi. Çalışma, hakemli bir fizik dergisinde yayımlandı ve malzeme bilimi topluluğundan güçlü bir ilgi gördü. Grafen ısı iletkenliği, zaten doğal haliyle son derece yüksek bir değer taşıyor; tek katman grafen için 5.000 W/m·K civarında ölçümler literatürde yer alıyor. Ancak yeni geliştirilen bileşik malzeme, izole edilmiş tek katmana kıyasla bu değeri daha geniş bir alan genelinde ve pratik işleme koşullarında koruyabiliyor. Araştırmacıların başarısının kilit noktası, grafen ısı iletkenliğini pratik uygulamalarda kısıtlayan en büyük engel olan tane sınırı (grain boundary) sorununu ele alma biçimleri. Kimyasal buhar biriktirme (CVD) sürecinde kontrollü doping ve substrat mühendisliği kombinasyonu kullanılarak tane sınırı yoğunluğu yüzde 40 oranında azaltıldı. Bu, grafen ısı iletkenliği için pratik sınırlayıcı olan fononik saçılmayı doğrudan zayıflattı. Uygulama potansiyeli açısından sonuçlar dikkat çekici. Yüksek güç yoğunluklu elektronik bileşenlerin termal yönetimi, bu alandaki en yakın uygulama hedefi. Üst üste istiflenmiş çip tasarımlarında (3D IC) soğutma, termal yönetim malzemeleri için sınırlayıcı bir faktör olmaya devam ediyor. Grafen ısı iletkenliği bu eşiği aşabilirse, 3D yonga mimarilerinin soğutma tasarımında köklü bir değişikliğe kapı aralanabilir. Enerji dönüşümü uygulamalarında da potansiyel var. Termoelektrik aygıtlarda ısı akısını yönetmek, verimlilik için kritik; yüksek grafen ısı iletkenliği bu alan için de araştırmacıların ilgisini çekiyor. Mevcut aşamada sentez ölçekleme ve maliyetler, yaygın ticari benimsemenin önündeki temel engeller. Araştırma ekibi, pilot üretim tesisleriyle ölçek büyütme çalışmaları için ek fon arayışında olduklarını açıkladı.